結晶化シリコン層（薄膜、厚膜等）を含む半導体装置の製造方法に関する。

　ガラスやフレキシブルシート（プラスチックなど）上の半導体薄膜、特にSi系薄膜の製膜技術(主にスパッタリング法)、およびその有効な低温結晶化法(主にレーザアニール：青色半導体レーザアニール（BLDA）、エキシマレーザーアニール（ELA）など)、さらにこれをもとにしたパネル上素子形成応用（薄膜トランジスタ、センサー、光電変換素子など）に関する製法、材料、構造に関する技術である。

本発明は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリシリセスキオキサンから選ばれる１種以上を使用し、プラスチックにより絶縁層を形成する工程と、この絶縁層上に、厚さが０．２～１．５μｍであり、ＺｎＳ－ＳｉＯ２から成るバッファ層を形成する工程と、このバッファ層上に、プラズマＣＶＤ法により、厚さ３００ｎｍ～１μｍの非晶質の半導体層を形成する工程と、この非晶質の半導体層を形成する工程を行った後、脱水素のための熱処理工程は行わないで、半導体層に対して、波長が３５０ｎｍ～５００ｎｍの範囲内のエネルギービームを照射することにより、半導体層を結晶化させる工程を含む半導体装置の製造方法である。波長３５０ｎｍ～５００ｎｍの範囲内のエネルギービームを照射して、結晶化を行うので、比較的短い時間で結晶化を行うことができ、平坦性、均一性、結晶性、安定性に優れた、結晶質の半導体層が得られる。